4606-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7A
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- 描述
- 广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 4606-JSM
- 商品编号
- C18191822
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
TSM3404CX是采用高单元密度先进沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于需要在超小尺寸表面贴装封装中实现低电压应用和低在线功率损耗的场景。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 8.0A
- 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 22mΩ
- 栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 31mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -7.0A
- 栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 48mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机