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IRF3710STRPBF-JSM
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRF3710STRPBF-JSM
- 商品编号
- C18191880
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.945克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 60A,当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 17.5mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(on)
- 出色的封装,具备良好的散热性能
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