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JSM60P50K
P沟道，60V（D-S）MOSFET
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- 描述
- P-Channel MOSFET使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM60P50K
- 商品编号
- C18191942
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.433078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.399nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
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