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JSM60P50K
P沟道，60V（D-S）MOSFET
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- 描述
- P-Channel MOSFET使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM60P50K
- 商品编号
- C18191942
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.433078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.399nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -60V,ID = -50A,在VGS = -10V时,RDS(ON) < 20mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
- 封装散热性能出色
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