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JSM60P04Y
JSM60P04Y
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- 描述
- P沟道，60V，3.5A，120毫欧。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM60P04Y
- 商品编号
- C18191944
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- VDS = -60V,ID = -3.5A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 160mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 200mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
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