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DMN2009LSS-13-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- DMN2009LSS-13-JSM
- 商品编号
- C18191907
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 986pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 185pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 80A，当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 5.5mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。
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