温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AM2308NE-T1-PF-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:6A
- 描述
- 适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AM2308NE-T1-PF-JSM
- 商品编号
- C18191834
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,6.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，漏极电流（ID） = 36 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 20 mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）。
- 采用散热性能良好的封装。
相似推荐
其他推荐
- KFH-JSM
- STD25N10F7-JSM
- AO3434-JSM
- IRFR3103TRPBF-JSM
- STD12NF06LT4-JSM
- IRF7401TRPBF-JSM
- IRF7341QTRPBF-JSM
- 15N06L-TN3-R-JSM
- 4501SS-JSM
- NP32N055ILE-JSM
- DMN6070SSD-13-JSM
- AOD452-JSM
- IRF3710STRPBF-JSM
- NTR4101PT1G-JSM
- SSC8034GS6-JSM
- DMN2009LSS-13-JSM
- NTD50N03T4G-JSM
- 20N06HD-JSM
- NTD4863NT4G-JSM
- IRF7304TRPBF-JSM
- SI9945ADY-T1-E3-JSM