温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP2301GN-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AP2301GN-JSM
- 商品编号
- C18191804
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V,1.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
AP2301GN是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺特别针对降低导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
商品特性
- -20V / -4.3A，在栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 30 mΩ（典型值）
- -20V / -3.5A，在栅源电压（VGS） = -2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 40 mΩ（典型值）
- -20V / -2.0A，在栅源电压（VGS） = -1.8V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 56 mΩ（典型值）
- -20V / -1.0A，在栅源电压（VGS） = -1.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 85 mΩ（典型值）
- 专为极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）而设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23 - 3封装设计
- P沟道
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器