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8205A-JSM
1个N沟道 耐压:20V 电流:9A
- 描述
- 本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装，集成双N沟道设计，额定电压20V，可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造，适用于各类消费电子产品，提供出色的系统性能与稳定性表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 8205A-JSM
- 商品编号
- C18191787
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.133533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 520.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72.69pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95.48pF |
商品概述
TPC8213是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺特别针对降低导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
商品特性
- 8英寸晶圆形式裸片
- 20V、6A*,N沟道
- 探针抽样测试
- 专有的先进平面技术
- 高密度超低电阻设计
- 大功率、大电流应用
- 理想的锂电池应用
- 封装形式:SOT23-6、TSSOP8
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统