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AO3407-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO3407-JSM
- 商品编号
- C18190306
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它适用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 30A，当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 30mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型产品。
- 先进的高单元密度沟槽技术实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。
- 出色的封装设计，散热性能良好。