AOD425-JSM

这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。

• 漏源电压(VDS) = -30V,漏极电流(ID) = -50A,在栅源电压(VGS) = -10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 14mΩ
• 低栅极电荷
• 提供环保型器件
• 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
• 封装散热性能良好