AP4435GM-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AP4435GM-JSM
- 商品编号
- C18190422
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 161pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- -30V/-10A,RDS(ON) = 18mΩ(典型值)@ VGS = -10V
- -30V/-6.0A,RDS(ON) = 25mΩ(典型值)@ VGS = -4.5V
- 极低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
-高频负载点同步-网络直流-直流电源系统-负载开关