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AP2321GN-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AP2321GN-JSM
- 商品编号
- C18190415
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
AP4501AGM采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于形成电平转换高端开关，还适用于许多其他应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 8.0A
- 栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 22mΩ
- 栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 31mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -40V，漏极电流ID = -7.0A
- 栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 48mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装