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AOD422-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
- 描述
- 应用于便携式设备负载开关。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AOD422-JSM
- 商品编号
- C18190377
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 131pF |
商品概述
AOD438采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。它可用于广泛的应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 55A,当栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 10mΩ
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))。
- 采用散热性能良好的优质封装。
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源