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AO3415-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效能、稳定可靠的功率控制。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO3415-JSM
- 商品编号
- C18190308
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
AM2321P是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，以及需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -20V/-4.3A，RDS(ON) = 30mΩ（典型值）@VGS~~- 4.5V
- -20V/-3.5A，RDS(ON) = 40mΩ（典型值）@VGS = -2.5V
- -20V/-2.0A，RDS(ON) = 56mΩ（典型值）@VGS = -1.8V
- -20V/-1.0A，RDS(ON) = 85mΩ（典型值）@VGS = -1.5V
- 超低RDS(ON)的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
- P沟道
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器