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AO3442-JSM
N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应管，适用于多种应用场景。采用Trench技术，提供了更好的性能和可靠性。可在不同领域和模块中的广泛应用。SOT23；N—Channel沟道,100V；2A；RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V；
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO3442-JSM
- 商品编号
- C18190315
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 295pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品概述
AO3442-JSM 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,以及需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- 100V/3.0A,RDS(ON) = 220mΩ(典型值)@VGS = 4.5V
- 100V/2.5A,RDS(ON) = 280mΩ(典型值)@VGS = 2.5V
- 专为极低的 RDS(ON) 进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOT23-3L 封装设计
应用领域
- 笔记本电脑的电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统