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AO3419-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO3419-JSM
- 商品编号
- C18190311
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗、节约能源，使该器件非常适合用于小型电源管理电路。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 49mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 65mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 视频监视器