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NCE75H21D
1个N沟道 耐压:75V 电流:210A
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- 描述
- NMOS，75V/210A，RDS(ON)=3mR；标称48V电池无刷控制器专用（电镐专用，性价比高）。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE75H21D
- 商品编号
- C181944
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 330W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 250nC | |
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 914pF |
商品概述
NCE75H21D采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于汽车应用及其他多种应用场景。
商品特性
- 漏源击穿电压VDSS = 75V,漏极电流ID = 210A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 4 mΩ
- 具有高单脉冲雪崩耐量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 全面表征雪崩电压和电流
- 采用散热性能良好的封装
应用领域
- 汽车应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源