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NCE01H13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE01H13

1个N沟道 耐压:100V 电流:130A

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描述
NMOS,100V/130A,RDS=5.5mR ;标称72V电池无刷控制器专用(电镐专用,性价比高)。
商品型号
NCE01H13
商品编号
C181938
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.769克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))6.8mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)285W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)170nC@10V
输入电容(Ciss)7.1nF
反向传输电容(Crss)333pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)413pF

商品概述

NCE01H13采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 100V,漏极电流ID = 130A
  • 栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 6.8 mΩ(典型值:5.3 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现极低的导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力

应用领域

  • 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF