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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP01T13D

停产 1个N沟道 耐压:100V 电流:150A

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描述
NMOS,100V/135A,RDS(ON)=3.7mR (typ) @ VGS=10V
商品型号
NCEP01T13D
商品编号
C181937
商品封装
TO-263-2​
包装方式
编带
商品毛重
2.016克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)150A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V,60A
耗散功率(Pd)220W
阈值电压(Vgs(th))4.5V@250uA

商品概述

9435采用先进的沟槽技术,可提供出色的漏源导通电阻、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

商品特性

  • VDS = 100V, ID = 135A
  • RDS(ON)< 4.5 m Ω@ VGS=10 V
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积
  • 极低的导通电阻RDS(ON)
  • 工作温度达175 °C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试

应用领域

-DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF