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HY1603P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HY1603P

1个N沟道 耐压:30V 电流:62A

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描述
N沟道,30V,62A,4.8mΩ@10V
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HY1603P
商品编号
C180375
商品封装
TO-220FB​
包装方式
管装
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)62A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V,31A
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)1.623nF
反向传输电容(Crss)264pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)702pF

商品特性

  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) = 4.8mΩ(典型值)
  • 30V/62A
  • 100%保证耐雪崩能力
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制能力
  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 有无卤器件可供选择

应用领域

  • 用于计算机处理器供电的高频同步降压转换器
  • 用于电信和工业领域、带同步整流功能的高频隔离式DC - DC转换器

数据手册PDF