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DMC3025LDV-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
- 描述
- 这新一代MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC3025LDV-13
- 商品编号
- C17228953
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.188nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 154pF |
商品概述
ALD114835/ALD114935是高精度单片四/双耗尽型N沟道MOSFET，采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。这些器件适用于低电压、小信号应用。它们是常闭继电器应用的绝佳功能替代方案，因为在未施加电源时它们处于导通状态，但在系统电源开启时可以关断或进行调制。这些MOSFET具有独特特性，当栅极接地时，在低漏极电压时工作于电阻模式，在较高电压时工作于电流源模式，并提供恒定的漏极电流。
ALD114835/ALD114935 MOSFET经过精心设计，具备出色的器件电气特性匹配能力。由于这些器件集成在同一单片芯片上，它们还展现出优异的温度跟踪特性。它们用途广泛，可作为各种模拟应用的设计组件，如电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。除了匹配对的电气特性外，每个单独的MOSFET也具有良好的参数控制，使用户能够依赖严格的设计限制。即使是不同批次和不同生产日期的产品，也具有相应良好匹配的特性。
这些耗尽型器件的设计旨在实现最小失调电压和差分热响应，适用于5V至±5V单电源系统中的开关和放大应用，在此类应用中，低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度是理想的特性。这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性，因此可用于依赖亚阈值特性的设计中。
ALD114835/ALD114935适用于需要非常高电流增益（β）的精密应用，如电流镜和电流源。在25°C时，当漏极电流为3mA、输入泄漏电流为30pA时，直流电流增益的示例计算结果为3mA / 30pA = 100,000,000。对于大多数应用，将V+引脚连接到系统中的最高正电压，将V-和IC引脚连接到最低负电压。所有其他引脚的电压必须始终保持在这些电压限制范围内。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对MOSFET
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能
- 模拟开关