商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品特性
- 功率假设器件以典型方式安装在面积为2平方英寸铜箔的PCB上时可耗散的功率
- 在脉冲条件下测量,脉宽 = 300μs,占空比 ≤ 2%
- 抽样测试
- 开关时间在源阻抗为50Ω且脉冲发生器上升时间 < 5ns的条件下测量
- XMLHVW-Q2-0000-0000LT553
- SBH31-NBPB-D46-SP-BK
- IS43R16160D-5TL-TR
- SIT1602BI-21-25N-40.000000
- FWLF-1521-7D-61-C
- 25QHM572D4.0-30.000
- SIT8208AI-GF-25E-66.666660X
- 634-015-363-053
- NTE5745
- A221T10V22
- MS3437B136N
- 660-013NF19F3.5-110
- 21-033967-015
- 09320006205
- 09330009992
- CTCDRH74BF-271M
- RS3K-M3/9AT
- SG-8018CA 19.0625M-TJHPA0
- SIT8208AC-G1-18S-74.175824Y
- GTXO-04-10.00M+200C100ppm3.3V
- MWDM2L-15S-5C4-.150B

