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DMC1030UFDB-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:12V 电流:5.1A 电流:3.9A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC1030UFDB-13
- 商品编号
- C17233063
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@4.5V；34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.89W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.1nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.028nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 254pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 285pF |
商品概述
WSD75N12GDN56采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 超薄设计,最大高度0.6mm
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(如AEC - Q中所引用),具备高可靠性
- 另有符合汽车应用标准的型号,其数据手册单独提供(DMC1030UFDBQ)
应用领域
- 负载开关
- 电源管理功能
- 便携式电源适配器
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