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DMN15M5UCA6-7
2个N沟道 耐压:12V 电流:16.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN15M5UCA6-7
- 商品编号
- C17232256
- 商品封装
- X4-DSN2117-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@3.8V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@0.84mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36.6nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 59pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 417pF |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和多芯片能力，使其成为各种功率应用的理想选择。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可达0.8W以上。
商品特性
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 动态dv/dt额定值
- 快速开关
- 100%进行RG测试
- 无铅