- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMTH10H015SK3Q-13
1个N沟道 耐压:100V 电流:59A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH10H015SK3Q-13
- 商品编号
- C17230037
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.343nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 487pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于: 电源管理功能 直流-直流转换器
- 背光照明
商品特性
- 额定温度高达+175°C,适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON),最大限度降低功率损耗
- 低栅极电荷Qg,最大限度降低开关损耗
- 无铅镀层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,为“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-电源管理功能-直流-直流转换器-背光照明
- 1630SEA
- SIT1602BIF21-18E-27.000000
- CBC47W1S10HT0
- 4-644860-0
- VCO132-12IO7
- 1510133314
- ZSS-108-07-G-D-540
- PS-30PE-D4T1-LP1
- S21805T-40.000-R
- GEA.1E.240.LN
- M80-5220642P
- SIT8208AI-GF-28E-40.500000T
- 593212222313NF
- 0550-0-15-01-22-14-10-0
- EHT-107-01-S-D-SM-P
- BPSC00131380120T00
- 515099-E
- SIT8208AI-31-33S-6.000000
- 661-025-364-006
- SIT8208AC-22-25S-27.000000
- SIT1602BC-31-30S-33.300000