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CS120N08A8
停产 1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
- 描述
- CS120N08 A8是采用先进沟槽技术制成的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准
- 品牌名称
- 华润华晶
- 商品型号
- CS120N08A8
- 商品编号
- C162371
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.572nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 253pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 494.4pF |
交货周期
订货5-7个工作日购买数量
(1000个/管，最小起订量 1000 个)个
起订量：1000 个1000个/管
总价金额：
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