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SIHP23N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:23A
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- 描述
- MOSFET N沟道 650V 23A TO-220
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP23N60E-GE3
- 商品编号
- C160649
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 158mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 95nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.418nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 10.8 A、40 V。栅源电压为10 V时，漏源导通电阻为12 mΩ
- 低栅极电荷（29 nC）
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 具备高功率和大电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
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