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Si2323DDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.3A
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- 描述
- P沟道,-20V,-5.3A,0.039Ω@-4.5V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- Si2323DDS-T1-GE3
- 商品编号
- C165449
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@1.8V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器开关
- 直流-直流转换器
- 电源管理