1个P沟道 耐压:20V 电流:5.3A
- 1+: ¥5.76 / 个
- 10+: ¥4.69 / 个
- 30+: ¥4.16 / 个
- 100+: ¥3.63 / 个
- 500+: ¥3.31 / 个
- 1000+: ¥3.15 / 个 (折合1圆盘9450元)
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¥3.63 / 个 |
500+: |
¥3.31 / 个 |
1000+: |
¥3.15 / 个 (折合1圆盘9450元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
功率(Pd) | 960mW;1.7W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 39mΩ@4.5V,4.1A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 36nC@8V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.16nF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |