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SI8261BCC-C-IS实物图
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SI8261BCC-C-IS

SI8261BCC-C-IS

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描述
MOSFET隔离栅极驱动器 传统光耦驱动升级替代品 高CMTI、4A驱动、高速
商品型号
SI8261BCC-C-IS
商品编号
C160667
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.57克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

Si826x隔离器是常见光耦合栅极驱动器的引脚兼容、直接替换升级产品,如0.6 A的ACPL - 0302/3020、2.5 A的HCPL - 3120/ACPL - 3130、HCNW3120/3130等类似光驱动器。这些器件非常适合驱动各种逆变器和电机控制应用中使用的功率MOSFET和IGBT。Si826x隔离栅极驱动器采用Silicon Laboratories专有的硅隔离技术,根据UL1577标准可承受高达5.0 kV有效值的电压,根据VDE 0884 - 10标准具有10 kV浪涌保护能力。与光耦合栅极驱动器相比,该技术可实现更高的性能,减少因温度和老化引起的变化,实现更紧密的器件间匹配,以及卓越的共模抑制能力。虽然输入电路模仿LED的特性,但所需的驱动电流更少,从而提高了效率。传播延迟时间与输入驱动电流无关,可实现始终较短的传播时间、更紧密的器件间变化以及更大的输入电路设计灵活性。因此,与光耦合栅极驱动器相比,Si826x系列具有更长的使用寿命和显著更高的可靠性。

商品特性

  • 与流行的高速光耦合栅极驱动器引脚兼容,可直接替换升级
  • 低功耗二极管仿真器简化设计过程
  • 0.6和4.0安培峰值输出驱动电流
  • 轨到轨输出电压
  • 与光驱动器相比,具有性能和可靠性优势
  • 抗温度和老化影响
  • FIT率低10倍,使用寿命更长
  • 器件间匹配精度高14倍
  • 更高的共模瞬态抗扰度:典型值 >50 kV/μs
  • 强大的保护功能
  • 多种带迟滞的欠压锁定(UVLO)订购选项(5、8和12 V)
  • 60 ns传播延迟,与输入驱动电流无关
  • 宽VDD范围:6.5至30 V
  • 高达5000 VRMS隔离
  • 10 kV浪涌耐受能力
  • 通过AEC - Q100认证
  • 宽工作温度范围:-40至 +125 °C
  • 符合RoHS标准的封装:SOIC - 8(窄体)、DIP8(鸥翼式)、SDIP6(拉伸SO - 6)

应用领域

  • IGBT/MOSFET栅极驱动
  • 工业、混合动力汽车和可再生能源逆变器
  • 交流、无刷和直流电机控制与驱动
  • 消费白色家电中的变速电机控制
  • 隔离开关模式和UPS电源

数据手册PDF