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TS27M4CDT
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | 四路 | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 16V | |
| 轨到轨 | - | |
| 增益带宽积(GBP) | 1MHz | |
| 输入失调电压(Vos) | 1.1mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ | |
| 压摆率(SR) | 600V/ms | |
| 输入偏置电流(Ib) | 1pA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入失调电流(Ios) | 100pA | |
| 噪声密度(eN) | 38nV/√Hz@1kHz | |
| 共模抑制比(CMRR) | 65dB | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | - | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 输出电流 | 60mA | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 单电源 | 3V~16V |
商品概述
这些器件是低成本、低功耗的四运放，设计用于单电源或双电源工作。这些运算放大器采用意法半导体（ST）的硅栅CMOS工艺，具有出色的功耗 - 速度比。这些系列非常适合低功耗应用。 有三种功耗可供选择，从而为您的应用提供最佳的功耗 - 速度比：
- ICC = 10 μA/放大器：TS27L4（极低功耗）
- ICC = 150 μA/放大器：TS27M4（低功耗）
- ICC = 1 mA/放大器：TS274（标准型） 这些CMOS放大器具有非常高的输入阻抗和极低的输入电流。与JFET器件相比，其主要优点是输入电流随温度的漂移非常小。
商品特性
- 低功耗：150 μA/每路
- 输出电压可摆幅至地
- 在容性负载下具有出色的相位裕度
- 单位增益稳定
- 两种输入失调电压可选
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