VND3NV04-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻 | 120mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
VNN3NV04、VNS3NV04、VND3NV04、VND3NV04 - 1 是采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件，旨在替代从直流到 50 kHz 应用中的标准功率 MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。 可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- ESD 保护
- 直接连接功率 MOSFET 的栅极（模拟驱动）
- 符合 2002/95/EC 欧洲指令，与标准功率 MOSFET 兼容