F1192BNLGK8
F1192BNLGK8
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- F1192BNLGK8
- 商品编号
- C1511992
- 商品封装
- QFN-24-EP(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| 增益/损耗 | 11dB | |
| 噪声系数 | 8.9dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3.3V | |
| 工作电流 | 275mA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
F1192B针对GSM系统以及采用LTE技术的系统进行了优化。 F1192B具备极低的功耗和出色的线性度。除此之外,它还有四个可动态调节的增益设置,能在极宽的射频(RF)和中频(IF)频率范围内实现卓越性能。这些特性使其非常适合众多应用场景,包括: 2G/3G/4G/5G/多模远程无线电单元 高阶MIMO系统、微蜂窝、微微蜂窝、分布式天线系统(DAS) 点对点微波回传系统 宽带中继器 任何工作在400 MHz至4000 MHz之间的无线电系统
商品特性
- 射频范围:400 MHz至3800 MHz
- 本振(LO)范围:400 MHz至3600 MHz
- 中频范围:50 MHz至600 MHz
- MIMO双路径
- 4种增益设置:11 dB、8 dB、5 dB、2 dB
- 2位增益步进控制
- 适用于多载波系统
- 输出三阶交调截点(OIP3)为+35 dBm
- 通过IDT的FlatNoise技术,在任何增益设置下都具有低噪声系数
- 中频平衡阻抗Z = 200 Ω,射频阻抗50 Ω,本振单端阻抗50 Ω,均为内部匹配
- 所有射频、本振和中频频率采用单一物料清单(BOM)
- 4 mm×4 mm、24引脚薄型四方扁平无引脚封装(TQFN)
- 独立路径待机模式
- 增益调整建立时间为75 ns
- 电源电压VCC = 3.3 V,功耗835 mW(低功耗模式下为620 mW)
应用领域
- 2G/3G/4G/5G/多模远程无线电单元
- 高阶MIMO系统、微蜂窝、微微蜂窝、分布式天线系统(DAS)
- 点对点微波回传系统
- 宽带中继器
- 任何工作在400 MHz至4000 MHz之间的无线电系统
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