F6101NTGK8
F6101NTGK8
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- F6101NTGK8
- 商品编号
- C1511997
- 商品封装
- QFN-40(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
F6101是一款8通道接收硅集成电路,采用SiGe BiCMOS工艺设计,适用于Ku波段卫星通信相控阵应用。核心集成电路具备6位相位控制功能,每个通道的增益控制范围超过30dB,可实现精细的波束控制和通道间的增益补偿。该器件的标称电增益为15.5dB,1dB压缩点输入功率(IP1dB)为 -23dBm。在工作频率范围内,核心芯片的均方根相位误差为2.5°,均方根增益误差为0.25dB。典型总功耗为0.34W(每通道43mW)。
商品特性
- 工作频率范围:10GHz至14GHz
- 8个辐射通道,6位相位控制
- 典型增益建立时间:20ns
- 典型相位建立时间:20ns
- 典型均方根相位误差:2.5°
- 典型均方根增益误差:0.25dB
- 增益衰减范围:30dB
- 5位集成电路地址
- 集成与绝对温度成正比(PTAT)传感器,具备外部偏置
- 内部温度传感器范围:-40℃至+95℃
- 可编程4状态片上存储器
- 电源电压:+2.1V至+2.5V
- 环境工作温度范围:-40℃至+95℃
- 典型环境工作温度:27℃
- 5mm x 5mm,40-QFN封装
应用领域
- Ku波段卫星通信
- 气象雷达
- 波束控制
- 测试与测量
优惠活动
购买数量
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起订量:1 个5个/圆盘
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