F6503AVGK8

品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: F6503AVGK8
商品编号: C1512011
商品封装: VFBGA-62
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	无线收发芯片

	属性	参数值
	功能特性	-

商品概述

F6503是一款8通道发射机（TX）硅集成电路，采用SiGe BiCMOS工艺设计，适用于CDL相控阵应用。核心IC在每个通道上具备360° 6位相位控制和35dB 6位增益控制，以实现精细的波束控制和辐射通道间的增益补偿。该器件标称增益为25dB，OP1dB为13dBm。在工作频率范围内，核心芯片的均方根相位误差为3°，均方根增益误差为0.4dB。在OP1dB时，典型总功耗为1.4W（每通道175mW）。

商品特性

工作频率：14GHz至16GHz
8个辐射通道
6位相位控制
6位增益控制
典型增益建立时间：50ns
典型相位建立时间：20ns
典型均方根相位误差：3°
典型均方根增益误差：0.4dB
增益衰减范围：35dB
5位IC地址
集成带外部偏置的绝对温度比例（PTAT）传感器
内部温度传感器范围：-40℃至+95℃
可编程4状态片上存储器
电源电压：+2.1V至+2.5V
环境工作温度范围：-40℃至+95℃
典型环境工作温度：27℃
3.8mm x 4.6mm，62-BGA封装

应用领域

CDL终端
波束控制
点对点（视距）通信

数据手册PDF

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