F2932NBGP8
F2932NBGP8
- 描述
- 是一款高可靠性、低插入损耗、50Ω的单刀双掷(SP2T)吸收式射频开关,专为多种无线和其他射频应用而设计。该设备覆盖了从50 MHz到8000 MHz的宽频率范围。除了提供低插入损耗外,还能提供高线性度和高隔离性能,同时为未使用的射频输入端口提供50Ω的终端。使用2.7V至5.5V的单正电源电压,支持使用3.3V或1.8V控制逻辑的三种状态。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- F2932NBGP8
- 商品编号
- C1512000
- 商品封装
- VQFN-16-EP(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 电路结构 | 单刀双掷 | |
| 频率 | 50MHz~8GHz | |
| 隔离度 | 37dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 1.6dB | |
| P1dB | 36.5dBm | |
| 工作电压 | 2.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
F2932是一款高可靠性、低插入损耗的50 Ω单刀双掷(SP2T)吸收式射频开关,专为众多无线及其他射频应用而设计。该器件覆盖了从50 MHz到8000 MHz的宽频率范围。除了具备低插入损耗外,F2932还能在为未使用的射频输入端口提供50 Ω端接的同时,实现高线性度和高隔离性能。 F2932采用2.7 V至5.5 V的单正电源电压,支持使用3.3 V或1.8 V控制逻辑的三种状态。
商品特性
- 高隔离度:
- 在1 GHz时为70 dB
- 在2 GHz时为67 dB
- 在3 GHz时为65 dB
- 在4 GHz时为66 dB
- 高线性度:
- 二阶输入截点(IIP2)为111 dBm
- 在2 GHz时三阶输入截点(IIP3)为64 dBm
- 宽单正电源电压范围
- 兼容3.3 V和1.8 V控制逻辑
- 工作温度范围为 -40 ℃至 +105 ℃
- 4 mm x 4 mm 16引脚QFN封装
应用领域
- 2G、3G、4G基站
- 便携式无线设备
- 中继器和E911系统数字预失真
- 点对点基础设施
- 公共安全基础设施
- WiMAX收发器
- RFID手持和便携式阅读器
- 测试/自动测试设备(ATE)
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 50 个)个
起订量:50 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
