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WSP4953A
2个P沟道 耐压:20V 电流:5.8A
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- 描述
- WSP4953A 是具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4953A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4953A
- 商品编号
- C148415
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.209克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,5.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
WSP4953A 是高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSP4953A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 环保器件
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超移动个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 负载开关