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TN2106K1-G
1个N沟道 耐压:60V 电流:280mA
- 描述
- 这款低阈值、增强型（常开）晶体管采用垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）结构和Supertex成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- TN2106K1-G
- 商品编号
- C145707
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
这款低阈值、增强型（常开）晶体管采用垂直 DMOS 结构和 Supertex 成熟的硅栅制造工艺。这种结合造就了一种具备双极晶体管功率处理能力，以及 MOS 器件固有高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有 MOS 结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 Supertex 的垂直 DMOS FET 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
~~- 无二次击穿-低功率驱动要求-易于并联-低输入电容和快速开关速度-出色的热稳定性-集成源-漏二极管-高输入阻抗和高增益-互补的 N 沟道和 P 沟道器件
应用领域
- 逻辑电平接口-适用于 TTL 和 CMOS-固态继电器-电池供电系统-光伏驱动器-模拟开关-通用线路驱动器-电信开关