1个N沟道 耐压:20V 电流:6.3A
- 5+: ¥1.1737 / 个
- 50+: ¥0.9364 / 个
- 150+: ¥0.8347 / 个
- 500+: ¥0.5004 / 个
- 3000+: ¥0.4439 / 个 (折合1圆盘1331.7元)
- 6000+: ¥0.4101 / 个 (折合1圆盘1230.3元)
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¥0.9364 / 个 |
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¥0.5004 / 个 |
3000+: |
¥0.4439 / 个 (折合1圆盘1331.7元) |
6000+: |
¥0.4101 / 个 (折合1圆盘1230.3元) |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
功率(Pd) | 1.3W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 21mΩ@4.5V,6.3A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@10uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.9nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 700pF@16V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |