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IRLL024NTRPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:4.4A
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- 描述
- N沟道 55V 3.1A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLL024NTRPBF
- 商品编号
- C148138
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,3.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了每单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。 SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松进行自动拾放，并且由于散热用的散热片增大，还具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功耗可达1.0W。
商品特性
~~- 表面贴装-先进的工艺技术-超低导通电阻-动态dv/dt额定值-快速开关-全雪崩额定-无铅