UCC27611DRVT

UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备不对称的轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A。分离式输出配置可根据场效应晶体管（FET）的特性对导通和关断时间进行单独优化。具有最小寄生电感的封装和引脚布局可减少上升和下降时间，并抑制振铃。此外，短传播延迟且公差和变化极小，可实现高频高效运行。1Ω和0.35Ω的电阻增强了对高dV/dt硬开关的抗干扰能力。 输入信号阈值与VDD无关，确保与TTL和CMOS低压逻辑兼容。出于安全考虑，当输入引脚处于浮空状态时，内部输入上拉和下拉电阻会使输出保持低电平。VREF引脚上的内部电路提供欠压锁定功能，在VREF电源电压处于工作范围之前，输出保持低电平。UCC27611采用2.00mm×2.00mm的SON - 6封装（DRV），带有外露的散热和接地焊盘，可提高封装的功率处理能力。UCC27611的工作温度范围为 - 40℃至140℃。

• 增强型氮化镓场效应晶体管（eGANFET）
• 4V至18V单电源电压范围VDD
• 驱动电压VREF稳压至5V
• 4A峰值源电流和6A峰值灌电流驱动能力
• 1Ω和0.35Ω上拉和下拉电阻（最大程度提高对高dV/dt的抗干扰能力）
• 分离式输出配置（可针对单个场效应晶体管优化导通和关断时间）
• 快速传播延迟（典型值14ns）
• 快速上升和下降时间（典型值分别为9ns和5ns）
• TTL和CMOS兼容输入（与电源电压无关，便于与数字和模拟控制器接口）
• 双输入设计，提供驱动灵活性（反相和同相配置）
• 输入浮空时输出保持低电平
• VDD欠压锁定（UVLO）
• 优化的引脚布局与eGANFET封装兼容，便于布局
• 2.00mm×2.00mm SON - 6封装，带有外露的散热和接地焊盘（最小化寄生电感以减少栅极振铃）
• 工作温度范围为 - 40℃至140℃

• 开关模式电源
• DC - DC转换器
• 同步整流
• 太阳能逆变器
• 电机控制
• 不间断电源（UPS）
• 包络跟踪电源