TPL7407LDR
7通道低侧驱动器
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- 描述
- TPL7407L 40V、7 通道 NMOS 阵列低侧驱动器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPL7407LDR
- 商品编号
- C139663
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 通道数 | 七路 | |
| 最大输入电压(VI) | 30V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电流(on) | 10uA | |
| 输入电流(off) | 500nA | |
| 正向压降(Vf) | 1.4V | |
| 输入电容(Ci) | 5pF |
商品概述
TPL7407L 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个特有高压输出的 NMOS 晶体管,这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。一个单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。 增加的全新稳压和驱动电路在整个通用输入输出 (GPIO) 范围内 (1.8V - 5.0V) 提供最大驱动强度。可将这些晶体管并联以实现更高的电流能力。 TPL7407L 的主要优势是其经提升的效率以及低于双极达灵顿 (Darlington) 器件的泄露值。 借助于较低的 Vₒₗ ,功率耗散比传统中继驱动器少一半,每通道的电流少于 250mA。
商品特性
- 600mA 额定漏极电流 (每通道)
- 7通道达灵顿(Darlington)阵列(例如 ULN2003A)的CMOS引脚到引脚改进
- 功耗(极低 Vₒₗ )电流为 100mA 时,Vₒₗ 低于达灵顿(Darlington)阵列的四分之一
- 每通道小于 10nA 的极低输出泄露
- 扩展环境温度范围:Tₐ = -40°C 至 125°C
- 高压输出40V
- 与 1.8V 至 5.0V 微控制器和逻辑接口兼容
- 用于感应反冲保护的内部自振荡二极管
- 输入下拉电阻器可实现三态输入驱动器
- 用来消除嘈杂环境中寄生运行的输入电阻电容 (RC) 缓冲器
- 静电放电(ESD)保护性能超过JESD 22 规范要求
- -2KV人体模型(HBM),500V充电器件模型(CDM)
- 采用 16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)和薄型小外形尺寸 (TSSOP)封装
应用领域
- 继电器
- 单极步进& 有刷直流电机
- 螺线管&阀门
- 发光二极管 (LED)
- 逻辑电平位移
- 栅极& 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动
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