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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPL7407LDR

7通道低侧驱动器

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描述
TPL7407L 40V、7 通道 NMOS 阵列低侧驱动器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TPL7407LDR
商品编号
C139663
商品封装
SOIC-16​
包装方式
编带
商品毛重
0.296克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录达林顿晶体管阵列
通道数七路
最大输入电压(VI)30V
工作温度-40℃~+150℃
属性参数值
输入电流(on)10uA
输入电流(off)500nA
正向压降(Vf)1.4V
输入电容(Ci)5pF

商品概述

TPL7407L 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个特有高压输出的 NMOS 晶体管,这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。一个单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。 增加的全新稳压和驱动电路在整个通用输入输出 (GPIO) 范围内 (1.8V - 5.0V) 提供最大驱动强度。可将这些晶体管并联以实现更高的电流能力。 TPL7407L 的主要优势是其经提升的效率以及低于双极达灵顿 (Darlington) 器件的泄露值。 借助于较低的 Vₒₗ ,功率耗散比传统中继驱动器少一半,每通道的电流少于 250mA。

商品特性

  • 600mA 额定漏极电流 (每通道)
  • 7通道达灵顿(Darlington)阵列(例如 ULN2003A)的CMOS引脚到引脚改进
  • 功耗(极低 Vₒₗ )电流为 100mA 时,Vₒₗ 低于达灵顿(Darlington)阵列的四分之一
  • 每通道小于 10nA 的极低输出泄露
  • 扩展环境温度范围:Tₐ = -40°C 至 125°C
  • 高压输出40V
  • 与 1.8V 至 5.0V 微控制器和逻辑接口兼容
  • 用于感应反冲保护的内部自振荡二极管
  • 输入下拉电阻器可实现三态输入驱动器
  • 用来消除嘈杂环境中寄生运行的输入电阻电容 (RC) 缓冲器
  • 静电放电(ESD)保护性能超过JESD 22 规范要求
  • -2KV人体模型(HBM),500V充电器件模型(CDM)
  • 采用 16引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)和薄型小外形尺寸 (TSSOP)封装

应用领域

  • 继电器
  • 单极步进& 有刷直流电机
  • 螺线管&阀门
  • 发光二极管 (LED)
  • 逻辑电平位移
  • 栅极& 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动