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IS66WV51216EBLL-55TLI
IS66WV51216EBLL 55TLI
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- 描述
- IS66WV51216EALL和IS66/67WV51216EBLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS66WV51216EBLL-55TLI
- 商品编号
- C1348810
- 商品封装
- TSOP-44-10.2mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 6.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.5V~3.6V | |
| 读写时间 | 55ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 28mA | |
| 待机电流 | 130uA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | PSRAM（伪 SRAM） |
| 存储器格式 | PSRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 存储容量 | 8Mb（512K x 16） |
| 写周期时间-字，页 | 55ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 55ns |
| 电压-供电 | 2.5V ~ 3.6V |
优惠活动
购买数量
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