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IS42S32160F-6BLI实物图
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IS42S32160F-6BLI

IS42S32160F 6BLI

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描述
512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行,具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM(536,870,912位)包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据,并自动生成列地址,能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间,并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS42S32160F-6BLI
商品编号
C1348852
商品封装
BGA-90(8x13)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录同步动态随机存取内存(SDRAM)
存储容量512Mbit
时钟频率(fc)167MHz
属性参数值
工作电压3V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
安装类型表面贴装型
技术SDRAM
存储器格式DRAM
时钟频率167MHz
存储容量512Mb(16M x 32)
访问时间5.4ns
封装/外壳90-TFBGA
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
供应商器件封装90-TFBGA(8x13)
写周期时间-字,页-
存储器类型易失
存储器接口并联
电压-供电3V ~ 3.6V

数据手册PDF

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