我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
IS42S86400F-7TLI实物图
  • IS42S86400F-7TLI商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS42S86400F-7TLI

IS42S86400F 7TLI

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器,根据 DRAM 选项,可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM(536,870,912 位)包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据,并自动生成列地址,能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间,并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS42S86400F-7TLI
商品编号
C1350475
商品封装
TSOPII-54-10.2mm​
包装方式
托盘
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录同步动态随机存取内存(SDRAM)
存储容量512Mbit
时钟频率(fc)143MHz
属性参数值
工作电压3V~3.6V
工作温度-40℃~+85℃
安装类型表面贴装型
技术SDRAM
存储器格式DRAM
时钟频率143MHz
存储容量512Mb(64M x 8)
访问时间5.4ns
封装/外壳54-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
供应商器件封装54-TSOP II
写周期时间-字,页-
存储器类型易失
存储器接口并联
电压-供电3V ~ 3.6V

数据手册PDF

优惠活动

  • 6.6

    购买数量

    (108个/托盘,最小起订量 1 个)
    起订量:1 个108个/托盘

    总价金额:

    0.00

    近期成交0