IS42S86400F-7TLI
IS42S86400F 7TLI
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- 描述
- 512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器,根据 DRAM 选项,可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM(536,870,912 位)包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据,并自动生成列地址,能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间,并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS42S86400F-7TLI
- 商品编号
- C1350475
- 商品封装
- TSOPII-54-10.2mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 143MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 技术 | SDRAM |
| 存储器格式 | DRAM |
| 时钟频率 | 143MHz |
| 存储容量 | 512Mb(64M x 8) |
| 访问时间 | 5.4ns |
| 封装/外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 供应商器件封装 | 54-TSOP II |
| 写周期时间-字,页 | - |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 电压-供电 | 3V ~ 3.6V |
优惠活动
购买数量
(108个/托盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个108个/托盘
总价金额:
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