温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RMLV0816BGSB-4S2#AA0
RMLV0816BGSB 4S2#AA0
- 描述
- RMLV0816BGSB 是一款8Mbit静态RAM，组织为524,288字×16-Bit，采用Renesas高性能Advanced LPSRAM技术制造。它实现了更高的密度、性能和低功耗。RMLV0816BGSB 提供了低功耗待机功耗，适用于电池备份系统。提供44引脚TSOP (II)封装。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RMLV0816BGSB-4S2#AA0
- 商品编号
- C1350494
- 商品封装
- TSOPII-44-10.2mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 450nA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | SRAM |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 存储容量 | 8Mb（512K x 16） |
| 写周期时间-字，页 | 45ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 45ns |
| 电压-供电 | 2.4V ~ 3.6V |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(25个/托盘，最小起订量 80 个)个
起订量：80 个25个/托盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单