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RMLV0416EGSB-4S2#AA1
RMLV0416EGSB 4S2#AA1
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- 描述
- RMLV0416E系列是4-Mbit静态RAM，组织为262,144字 × 16-Bit，采用Renesas的高性能Advanced LPSRAM技术制造。该系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。RMLV0416E系列提供了低功耗待机功耗。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RMLV0416EGSB-4S2#AA1
- 商品编号
- C1350720
- 商品封装
- TSOPII-44-10.2mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 45ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 10mA | |
| 待机电流 | 400nA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | SRAM |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 |
| 存储容量 | 4Mb（256K x 16） |
| 写周期时间-字，页 | 45ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 45ns |
| 电压-供电 | 2.7V ~ 3.6V |
优惠活动
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