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IS61WV5128EDBLL-10TLI实物图
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IS61WV5128EDBLL-10TLI

IS61WV5128EDBLL 10TLI

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描述
IS61/64WV5128EDBLL是高速4,194,304位静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为524,288字×8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,造就了高性能、低功耗的器件
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS61WV5128EDBLL-10TLI
商品编号
C1349067
商品封装
TSOPII-44-10.2mm​
包装方式
托盘
商品毛重
3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
存储容量4Mbit
工作电压2.4V~3.6V
属性参数值
读写时间10ns
工作温度-40℃~+85℃
待机电流6mA
安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
技术SRAM - 异步
存储器格式SRAM
供应商器件封装44-TSOP II
存储容量4Mb(512K x 8)
写周期时间-字,页10ns
存储器类型易失
存储器接口并联
访问时间10ns
电压-供电2.4V ~ 3.6V

数据手册PDF

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