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IS61WV25616EDBLL-10BLI
IS61WV25616EDBLL 10BLI
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- 描述
- IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS61WV25616EDBLL-10BLI
- 商品编号
- C1349085
- 商品封装
- TFBGA-48(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 4Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 10ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 1.5mA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 48-迷你型BGA（6x8） |
| 存储容量 | 4Mb（256K x 16） |
| 写周期时间-字，页 | 10ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 10ns |
| 电压-供电 | 2.4V ~ 3.6V |
优惠活动
购买数量
(480个/托盘，最小起订量 1 个)个
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