CY7C1011DV33-10ZSXI
CY7C1011DV33 10ZSXI
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- 描述
- CY7C1010DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),组织形式为 256K 字×8 位。通过低电平有效的片选信号(CE)、低电平有效的输出使能信号(OE)和三态驱动器,可轻松实现存储器扩展。向该器件写入数据时,需将片选信号(CE)和写使能信号(WE)置为低电平
- 商品型号
- CY7C1011DV33-10ZSXI
- 商品编号
- C1349125
- 商品封装
- TSOPII-44-10.2mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 12.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 2Mbit | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 读写时间 | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 90mA | |
| 待机电流 | 10mA |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
| 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储器格式 | SRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 存储容量 | 2Mb(128K x 16) |
| 写周期时间-字,页 | 10ns |
| 存储器类型 | 易失 |
| 存储器接口 | 并联 |
| 访问时间 | 10ns |
| 电压-供电 | 3V ~ 3.6V |
优惠活动
购买数量
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起订量:1 个270个/托盘
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