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DS1230Y-70IND+
256k非易失SRAM
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- 描述
- DS1230 256k 非易失性 SRAM 是 262,144 位、全静态、非易失性 SRAM，组织形式为 32,768 字×8 位。每个非易失性 SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路持续监测 VCC 是否超出容差范围。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并且无条件启用写保护，以防止数据损坏
- 商品型号
- DS1230Y-70IND+
- 商品编号
- C1349128
- 商品封装
- EDIP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 工作电流 | 85mA | |
| 待机电流 | 150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 70ns | |
| 循环次数 | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动存储功能；低电压自动写保护 |